2025年04月03日の官報
裁判所破産、免責関係
令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)(分冊の)諸事項〔公告〕官庁事項〔官庁報告〕九）同八〇、同八一）瀬戸内海広域漁業調整委員会指示（瀬戸内海広域漁業調整委四八、同四（日本海・九州西広域漁業調整委七九、示日本海・九州西広域漁業調整委員会指〇）太平洋広域漁業調整委員会指示（太平洋広域漁業調整委四九、同五
〇輸出貿易管理令別表第一及び外国為術を定める省令の一部を改正する省替令別表の規定に基づき貨物又は技令（経済産業三四）
〔省令〕目次（号外）発 行 内 閣 府（原稿作成 国立印刷局）特殊法人等日本弁護士連合会公示送達・懲戒処会社その他会社決算公告分関係
〇経済産業省令第三十四号令の一部を改正する省令を次のように定める。
令和七年四月三日経済産業大臣武藤容治規定に基づき、輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省和二十四年政令第三百七十八号）別表第一及び外国為替令（昭和五十五年政令第二百六十号）別表の外国為替及び外国貿易法（昭和二十四年法律第二百二十八号）第六十九条の五、輸出貿易管理令（昭省令〇
〇 令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
設計したもの六十〜六十二（略）六十〜六十二（略）いた疎水性の触媒であって、水素と水との間で行われる水素の同位体交換を促進するためにあって、水素と水との間で行われる水素の同位体交換を促進するために設計したもの二十三〜五十八（略）
五十九水からトリチウムを回収するため又は重水を製
造
（
精
製
を
含
む
。）するための白金を用
二十三〜五十八（略）五十九重水からトリチウムを回収するため又は重水を製造するための白金を用いた触媒で
ハ・ニ（略）ハ・ニ（略）に該当するもの（一）〜（三）（略）に該当するもの（一）〜（三）（略）十の二〜二十一（略）（四）〜（六）（略）十の二〜二十一（略）（四）〜（六）（略）ロイの（略）炭素繊維、アラミド繊維若しくはガラス繊維、炭素繊維若しくはガラス繊維を使用したロイの（略）炭素繊維、アラミド繊維若しくはガラス繊維、炭素繊維若しくはガラス繊維を使用したプリプレグ又は炭素繊維若しくはアラミド繊維を使用した成型品であって、次のいずれかプリプレグ又は炭素繊維若しくはアラミド繊維を使用した成型品であって、次のいずれか二十二ガス遠心分離機のロータに用いられる構造材料であって、次のいずれかに該当するも二十二ガス遠心分離機のロータに用いられる構造材料であって、次のいずれかに該当するも（四）（一）に該当する繊維又は（三）に該当するプリプレグ（炭素繊維を使用したも（四）（一）に該当する繊維又は（三）に該当するプリプレグ（炭素繊維を使用したも
メートル未満、かつ、厚さが一二ミリメートル以下のもの
メートル未満のもののに限る。
）を用いた円筒形の成型品であって、内径が七五ミリメートル超六五〇ミリのに限る。
）を用いた円筒形の成型品であって、内径が七五ミリメートル超四〇〇ミリ
（一）（略）に該当するもの（イに該当するものを除く。
）るように設計したもの
ぬれ性を改善する処理を行ったりん青銅製のもののうち、メッシュ状のもの（三）真空蒸留用の塔に用いることができるように設計した充塡物であって、化学的に
４３２の
〇・一メガパスカル以上一メガパスカル以下の圧力範囲において用いることができ（略）
温度が零下二五八度以上零下二三八度以下で用いることができるように設計したも
零下二三八度以下の温度範囲において水素ぜい性のないものを用いたもの（二）低温で用いられる蒸留塔であって、次の１から４までの全てに該当するもの
１オーステナイト系ステンレス鋼又はこれと同等の材料であって、零下二五八度以上
４３２１るように設計したものにぬれ性を改善する処理を行った燐りん青
銅
製
のもののうち、メッシュ状のもの（三）真空蒸留用の塔に用いることができるように設計した充てん物であって、化学的
（略）温度が零下二三八度以下で用いることができるように設計したもの
〇・五メガパスカル以上五メガパスカル以下の圧力範囲において用いることができ（一）（略）に該当するもの（イに該当するものを除く。
）
細粒ステンレス鋼であって、水素ぜい性のないものを用いたもの（二）低温で用いられる蒸留塔であって、次の１から４までのすべてに該当するもの
一〜九（略）一〜九（略）様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
あって、次のいずれかに該当するものあって、次のいずれかに該当するものロイ（略）重水の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置であって、次のいずれかロイ（略）重水の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置であって、次のいずれか十重水素若しくは重水素化合物の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置で十重水素若しくは重水素化合物の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置で（輸出貿易管理令別表第一関係）（輸出貿易管理令別表第一関係）第一条輸出貿易管理令（以下「輸出令」という。
）別表第一の二の項の経済産業省令で定める仕第一条輸出貿易管理令（以下「輸出令」という。
）別表第一の二の項の経済産業省令で定める仕改正後改正前輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令の一部を改正する省令輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令（平成三年通商産業省令第四十九号）の一部を次の表のように改正する。
（傍線部分は改正部分）令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)ヘ・ト（略）ヘ・ト（略）ホニイ〜ハ（略）ずれかに該当するもの（一）〜（四）（略）ホットメルト方式によりプリプレグを製造するために特に設計又は改造した装置
ホニイ〜ハ（略）
第十五号に該当する繊維を製造するために特に設計又は改造した装置であって、次のい繊維の製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの（一）〜（四）（略）ホットメルト方式を用いて第十五号ホに該当するプリプレグを製造する装置
るものを除く。
）く。
）て、次のいずれかに該当するもの又はその部分品若しくは附属品（第三条第十一号に該当すれかに該当するもの又はその部分品若しくは附属品（第三条第十一号に該当するものを除一〜三（略）四
繊維又はこれを使用したプリプレグ、プリフォーム若しくは成型品の製造用の装置であっ一〜三（略）
四第二号、第十五号又は第十四条第一号に該当するものの製造用の装置であって、次のいず２（略）四〜六（略）２（略）四〜六（略）ン、ボツリヌス毒素、ボルケンシン、ミクロシスチン又はモデシンボルケンシン、ミクロシスチン又はモデシンるものとする。
るものとする。
第四条輸出令別表第一の五の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す第四条輸出令別表第一の五の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す
トキシン、ネオサキシトキシン、ノジュラリン、パリトキシン、ビスカミン、ブレベトキシシン、コノトキシン、ジアセトキシスシルペノール、志賀毒素、Ｔ
２トキシン、テトロドトキシン、ノジュラリン、パリトキシン、ビスカミン、ブレベトキシン、ボツリヌス毒素、シン、コノトキシン、ジアセトキシスシルペノール、志賀毒素、Ｔ
２トキシン、テトロド３（略）十二（略）ロ（略）３（略）十二（略）ロ（略）したもの一・二（略）に該当するものとする。
一・二（略）に該当するものとする。
色ブドウ球菌毒素（腸管毒素、アルファ毒素及び毒素性ショック症候群毒素）、ゴニオトキ色ブドウ球菌毒素（腸管毒素、アルファ毒素及び毒素性ショック症候群毒素）、ゴニオトキファ、ベータ１、ベータ２、イプシロン又はイオタの毒素に限る。
）、ＨＴ
２トキシン、黄ファ、ベータ１、ベータ２、イプシロン又はイオタの毒素に限る。
）、ＨＴ
２トキシン、黄三毒素（免疫毒素を除く。
）であって、アフラトキシン、アブリン、ウェルシュ菌毒素（アル三毒素（免疫毒素を除く。
）であって、アフラトキシン、アブリン、ウェルシュ菌毒素（アル第二条の二輸出令別表第一の三の二の項（一）の経済産業省令で定めるものは、次のいずれか第二条の二輸出令別表第一の三の二の項（一）の経済産業省令で定めるものは、次のいずれか十一イ空気中の物質を検知する装置であって、次のいずれかに該当するもの
十一イ
たり〇・三ミリグラム未満であり、かつ、連続して使用するように設計したもの
ム未満であっても検知することができるものであり、かつ、連続して使用するように設計前項に掲げるものについて空気中において検知できる最小検出限界が一立方メートル当前項に掲げるものについて空気中における濃度が一立方メートル当たり〇・三ミリグラ空気中の物質を検知する装置であって、次のいずれかに該当するもの
二・三（略）イ〜イイ（略）イロ
ジプロピルアミン
（新設）二・三（略）イ〜イイ（略）一〜十（略）するものとする。
一〜十（略）するものとする。
２輸出令別表第一の三の項（二）の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当２輸出令別表第一の三の項（二）の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当るものとする。
るものとする。
を含む混合物であって、いずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるものを含む混合物であって、いずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるもの一軍用の化学製剤の原料となる物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質一軍用の化学製剤の原料となる物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質第二条輸出令別表第一の三の項（一）の経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当す第二条輸出令別表第一の三の項（一）の経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当す 令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
（一）〜（三）（略）（一）〜（三）（略）に該当するもの（民生用の自動車又は鉄道車両用に設計した集積回路を除く。
）に該当するもの（民生用の自動車又は鉄道車両用に設計した集積回路を除く。
）ＦＦＴプロセッサ、スタティック式のラム又は不揮発性メモリーであって、次のいずれかＦＦＴプロセッサ、スタティック式のラム又は不揮発性メモリーであって、次のいずれかものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。
以下この条において同じ。
）、ものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。
以下この条において同じ。
）、表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計した表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したでのいずれかに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別プログラマブルロジックデバイス、カスタム集積回路（ハからチまで若しくはルからヨまでのいずれかに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別プログラマブルロジックデバイス、カスタム集積回路（ハからチまで若しくはルからカまナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールド
るものとする。
るものとする。
ロイ（略）マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、化合物半導体をロイ（略）マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、化合物半導体を有しデジタル化されたデータを記録し、若しくは処理することができるもの、デジタルア有しデジタル化されたデータを記録し、若しくは処理することができるもの、デジタルア用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、アナログデジタル変換機能を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、アナログデジタル変換機能をノリシックマイクロ波集積回路を含む。
）であって、次のいずれかに該当するものノリシックマイクロ波集積回路を含む。
）であって、次のいずれかに該当するもの一集積回路（モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路、マルチチップ集積回路、膜形一集積回路（モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路、マルチチップ集積回路、膜形集積回路（シリコンオンサファイア集積回路を含む。
）、光集積回路、三次元集積回路及びモ集積回路（シリコンオンサファイア集積回路を含む。
）、光集積回路、三次元集積回路及びモ第六条輸出令別表第一の七の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す第六条輸出令別表第一の七の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
一〜十一（略）（二）
（一）
（三）
（二）
（一）
不活性ガス
電気放電
レーザー
電子ビーム
ロ次のいずれかの制御されたプロセス環境を有するもの
のニラメータ、製造経路又は機器設定を修正するように設計された閉ループ制御が可能なもの
ハに該当するインプロセス監視装置からのフィードバックに応じて、造形中に熱源のパ
の波長範囲で最大感度を有するもの
（三）
放射計又は分光機であって、三八〇ナノメートル超三、〇〇〇ナノメートル以下
一〇〇パスカル以下の真空
ハ（一）
次のいずれかの同軸構成又は近軸構成であるインプロセス監視装置を有するもの
電子式のカメラであって、三八〇ナノメートル超一四、〇〇〇ナノメートル以下
の波長範囲で最大感度を有するもの
（二）
パイロメーターであって、一、〇〇〇度以上の温度を計測するために設計したも
イ次のいずれかの熱源を有するもの
イからニまでの全てに該当するもの又はそのために特に設計された部分品
十二
金属若しくは合金の部品を製造するために設計された積層造形用の装置であって、次の
（新設）るものとする。
一〜十一（略）第五条輸出令別表第一の六の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す第五条輸出令別表第一の六の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す五〜十五（略）五〜十五（略）十六粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほう素であって、ほう素の重量比による純度が十六粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほう素であって、ほう素の重量比による純度が八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほ八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほグアニジン、ニトログアニジン又は五ふっ化よう素
う素合金であって、ほう素の重量比が八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、硝酸グアニジン又はニトログアニジン
う素合金であって、ほう素の重量比が八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、硝酸令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)ヨチリ〜カ（略）ハ〜ト（略）ニューラルネットワークを用
い
た
も
の
（
ヨ
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
）。を有するもの
つ以上有するもの
（四）
合わせであって、それらの合計処理性能（ＴＰＰ）の総和が六、〇〇〇以上であるもの
（一）から（三）までのデジタルプロセッサユニットと基本演算ユニットの組み
プロセッサユニットを一つ以上有するもの
（三）
合計処理性能（ＴＰＰ）が六、〇〇〇以上であるアナログ基本演算ユニットを一
（ＴＰＰ）が六、〇〇〇以上であるデジタル基本演算ユニットを一つ以上有するもの
（二）
（一）で指定された機械語命令の実行に寄与するユニットを除き、合計処理性能
するもの又はこれらに該当するようにプログラムが可能なもの
（一）
合計処理性能（ＴＰＰ）が六、〇〇〇以上である機械語命令を実行するデジタル
送速度の総計が六〇〇ギガバイト毎秒以上である集積回路であって、次のいずれかに該当
揮発性メモリを含まない他の集積回路との間の全ての入力及び出力にわたる双方向の転
（新設）リ〜カ（略）ハ〜ト（略）チニューラルネットワークを用いたもの
ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるものヌ〜カ（略）（四）（略）（削る）において、雑音指数が〇・〇一五デシベル未満のもの
（三）
（二）
（一）
零下二七二・一五度未満の温度で作動するように設計したもの
動作周波数が二ギガヘルツ超一五ギガヘルツ以下かつ零下二七二・一五度の温度
動作周波数が二ギガヘルツ超一五ギガヘルツ以下で作動するように設計したもの
ヨパラメトリック信号増幅器であって、次の（一）から（三）までの全てに該当するもの
三〜十一（略）三〜十一（略）２１２１（略）該当するもの周波数帯域が一一〇ギガヘルツを超えるもの
該当するもの周波数帯域が九〇ギガヘルツを超えるもの
次のいずれかに該当するもの次のいずれかに該当するものミリワット（二〇ディービーエム）を超えるものリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの（三）ネットワークアナライザーの動作範囲を拡張するように設計したものであって、（三）ネットワークアナライザーの動作範囲を拡張するように設計したものであって、周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下であって、出力が一〇〇周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、出力が一〇〇ミイ〜チ（略）イ〜チ（略）二マイクロ波用機器又はミリ波用機器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの二マイクロ波用機器又はミリ波用機器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの設計したもの計したもの（二）信号発生器の動作範囲を拡張するように設計したものであって、次のいずれかに（二）信号発生器の動作範囲を拡張するように設計したものであって、次のいずれかにリハーモニックミクサ又はコンバータであって、次のいずれかに該当するものリハーモニックミクサ又はコンバータであって、次のいずれかに該当するもの（一）スペクトラムアナライザーの周波数帯域を一一〇ギガヘルツ超に拡張するように（一）スペクトラムアナライザーの周波数帯域を九〇ギガヘルツ超に拡張するように設
周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下であって、出力が一〇〇周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、出力が三一・六
ト（〇ディービーエム）を超えるもの
二ミリワット（一五ディービーエム）を超えるもの周波数帯域が九〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下であって、出力が一ミリワッ
（新規）ヌ〜カ（略）（四）（略）３２１２１（略） 令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
作周波数
セット周波
作周波数
セット周波20log10で表した動−20log10波数とオフ−12620log10で表した動−20log10波数とオフ−126
メガヘルツ
した動作周
ヘルツで表
メガヘルツ
した動作周
ヘルツで表
く。）く。
）（一）〜（五）（略）ハ次のいずれかに該当するもの（一）〜（五）（略）ハ次のいずれかに該当するものリワット（二〇ディービーエム）を超えるものワット（二〇ディービーエム）を超えるもの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のものニ搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次のいずれかに該当するものニ搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次のいずれかに該当するもの（一）
三・二ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作（一）
三・二ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作周周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの周を超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの（六）
七五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツ（六）
七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツをロイ（略）
四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、出力一〇〇ミロイ（略）
四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、出力一〇〇ミリ十三信号発生器であって、次のいずれかに該当するもの（二以上の水晶発振器の周波数を加十三信号発生器であって、次のいずれかに該当するもの（二以上の水晶発振器の周波数を加算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除を一〇〇パーセントの確率で捉えるもの号を一〇〇パーセントの確率で捉えるもの２１三デシベル未満で、一〇〇パーセントの確率で検出するもの周波数マスクトリガー機能を有するものであって、八マイクロ秒以下の長さの信号
八マイクロ秒以下の長さの信号を、ギャップ又は窓効果による全振幅からの減衰が２１が三デシベル未満で、一〇〇パーセントの確率で検出するもの周波数マスクトリガー機能を有するものであって、一五マイクロ秒以下の長さの信
一五マイクロ秒以下の長さの信号を、ギャップ又は窓効果による全振幅からの減衰
数の隔たり
数の隔たり
（二）三・二ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作（二）三・二ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作周20log10で表した動−206
作周波数
メガヘルツ
20log10で表した動−206
作周波数
メガヘルツ
かの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のものの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇キロヘルツ超一〇〇キロヘルツ以下のいずれ波数とオフセット周波数の隔たりが一〇キロヘルツ超一〇〇キロヘルツ以下のいずれかニハロイ（二）次のいずれかに該当するもの（一）実時間帯域幅が五二〇メガヘルツを超えるもの
次の（一）及び（二）に該当するものズレベルがマイナス一六〇ディービーエム毎ヘルツ未満のもの
一一〇ギガヘルツを超える周波数を分析することができるもの（二）次のいずれかに該当するもの（一）実時間帯域幅が一七〇メガヘルツを超えるもの
ニハ次の（一）及び（二）に該当するもの
レベルがマイナス一五〇ディービーエム毎ヘルツ未満のもの
九〇ギガヘルツを超える周波数を分析することができるもの十二スペクトラムアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの十二スペクトラムアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの（略）
四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、表示平均ノイロイ（略）
四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、表示平均ノイズ令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)リ削除
チ削除
ト削除
（三）・（四）（略）（二）ることイがンでプきリるンも
トの
リ（
ソテ
グに
ラ該
フ当
ィす
装る
置も
での
あを
っ除
てく
、。）四五ナノメートル以下の線幅を実現すリチト路の製造用のもの
（三）・（四）（略）かに該当する集積回路の製造用のもの
ソ四
グま
ラで
フの
ィい
装ず
置れ
にに
用も
い該
る当
たし
めな
にい
設記
計憶
し素
た子
もを
の製
（造
トす
にる
該た
当め
すに
る設
も計
のし
及た
びも
第の
一を
号除
かく
）ら。
第
八
号
の
インプリントリソグラフィテンプレートであって、第一号から第八号の四までのいずれ位相シフト膜を有する多層マスクであって、光源の波長が二四五ナノメートル未満のリ
マスク又はレチクルであって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回
ることができるもの
（二）インプリントリソグラフィ装置であって、四五ナノメートル以下の線幅を実現すロ〜ホ（略）（三）（略）をエピタキシャル成長させるものロ〜ホ（略）（三）（略）キシャル成長させるもの（一）（略）（一）（略）ヘリソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するものヘリソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するものものを除く。
）（一）（略）ものを除く。
）（一）（略）イ結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの（ウに該当するイ結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの（ウに該当する（二）
砒ひ素、りん、アンチモン、酸素又は窒素のいずれか二以上の元素を有する化合物半導体有機金属化学的気相成長反応炉であって、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ん
砒ひ素、燐り、アンチモン又は窒素のいずれか二以上の元素を有する化合物半導体をエピタ（二）有機金属化学的気相成長反応炉であって、アルミニウム、ガリウム、インジウム、部分品若しくは附属品
十七半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（ホ及びレにおいて「半導体製造装置」という。
）若しくは試験装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの
十七製造装置」という。
）若しくは試験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（ホ及びレにおいて「半導体
でる
あも
っの
てを
、除
次く
の。）いずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品（次号に該当す
十四イヘロ削除
（一）〜（三）（略）
を超えるもの最大出力周波数が一一〇ギガヘルツを超えるもの
力が一〇〇ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの
ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するものを供給する定格のもの
ロイ十五〜十六の二（略）十六の三
極低温用の冷却装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
零下二七三・〇五度以下の温度において、四八時間超にわたって、六〇〇マイクロワッ
ニ（略）ハ能を有するもの（イに該当するものを除く。
）五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機ト以上の冷凍出力を供給する定格のもの
のであり、かつ、零下二六八・九五度以下の温度において、一・五ワット以上の冷凍出力
二段式のパルスチューブ冷凍機であって、温度を零下二六九・一五度未満に維持するも
（新設）ニ（略）十五〜十六の二（略）（一）〜（三）（略）
超えるもの最大出力周波数が九〇ギガヘルツを超えるもの
ハロ十四イヘ
ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
能を有するもの（イ又はロに該当するものを除く。
）五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機一ミリワット（〇ディービーエム）を超えるもの
が三一・六二ミリワット（一五ディービーエム）を超えるもの九〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が
幅が次のいずれかに該当するもの幅が次のいずれかに該当するものホデジタルベースバンド信号をベクトル変調する機能を有するもので、ベクトル変調帯域ホデジタルベースバンド信号をベクトル変調する機能を有するもので、ベクトル変調帯域（四）七五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツ（四）七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツを四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力 令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
ム（略）（一）・（二）（略）ム（略）（一）・（二）（略）（一）・（二）（略）ネ・ナ（略）ラ成膜装置であって、次のいずれかに該当するも
の
（
キ
（
三
）
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
）。く。）ネ・ナ（略）（一）・（二）（略）ラ成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの
ずれかに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。
）うに設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの（レ（二）に該当するものを除ツソ（一）・（二）（略）
特定半導体製造装置のうち、金属の層を成膜するように設計した装置であって、次のいてに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。
）（五）〜（十）（略）
特定半導体製造装置のうち、金属の層を成膜するように設計した装置であって、次の全１〜３（略）に該当するものを除く。
）次に掲げる全ての工程により金属のコンタクト層を成膜するように設計したもの（（二）によって成膜するように設計したもの（以下「特定半導体製造装置」という。
）のうち、ツソ（一）・（二）（略）
〇・〇一パスカル以下の真空状態又は不活性ガスの環境において金属の層を成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。
）（五）〜（十）（略）
〇・〇一パスカル以下の真空状態又は不活性ガスの環境において金属の層を成膜するよ１〜３（略）するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。
）体製造装置」という。
）のうち、次に掲げる全ての工程により金属のコンタクト層を成膜
空状態又は不活性の環境を維持することができるように設計したもの（以下「特定半導によって成膜するものであり、かつ、複数の工程間において〇・〇一パスカル以下の真
半導体製造装置であって、複数のチャンバー又はステーション内での複数の工程（四）半導体製造装置であって、複数のチャンバー又はステーション内での複数の工程（四）３２１（略）
工程を有するものを有するもの（一）・（二）（略）（一）・（二）（略）（一）高周波のパルス出力の電源を一以上有するもの（一）高周波のパルス出力の電源を一以上有するものレ半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するものレ半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの（二）切替時間が三〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するもの（二）切替時間が三〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するものに設計した装置であって、次の全てに該当するもの（（二）に該当するものを除く。
）に設計した装置であって、次の全てに該当するもの（（二）に該当するものを除く。
）（三）単一のチャンバー内での複数の工程によって金属のコンタクト層を成膜するよう（三）単一のチャンバー内での複数の工程によって金属のコンタクト層を成膜するよう２１
（略）水素、水素と窒素の混合物又はアンモニアを用いたプラズマにより表面処理を行う
２１（略）
水素（水素と窒素又はア
ン
モ
ニ
ア
と
の
混
合
物
を
含
む
。）を用いたプラズマによる工程
又はサに該当するものを除く。
）のを除く。
）状を形成することができるもののうち、次の全てに該当するもの（カ（二）、ヨ、ア（一）状を形成することができるもののうち、次の全てに該当するもの（カ又はヨに該当するも
に対する深さの比率が三〇倍を超え、かつ、当該幅の寸法が一〇〇ナノメートル未満の形に対する深さの比率が三〇倍を超え、かつ、当該幅の寸法が一〇〇ナノメートル未満の形タヨ（略）る。
）を有するもの異方性エッチング用に設計した装置であって、誘電体の材料に対して、エッチングの幅タヨ（略）る。
）を有するもの異方性エッチング用に設計した装置であって、誘電体の材料に対して、エッチングの幅切替時間が五〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するもの切替時間が三〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するもの静電チャック（個別に温度を制御することができる領域を一〇以上有するものに限静電チャック（個別に温度を制御することができる領域を二〇以上有するものに限
３２１（略）
ヌ〜ワ（略）ヌ〜ワ（略）（一）（略）（一）（略）カドライエッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するものカドライエッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの当するも
の
（
ア
（
一
）
又
は
サ
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
）。（二）異方性ドライエッチング用に設計し、又は改造した装置であって、次の全てに該当するもの
（二）異方性ドライエッチング用に設計し、又は改造した装置であって、次の全てに該令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)４３２１アテ有するもの
もの
するもの
２１エッチングの幅に対する深さの比率が三〇を超えるもの
エッチングの幅の上面の寸法が四〇ナノメートル未満のもの
該
当
す
る
も
の
（
カ
（
二
）、
ヨ
、
タ
、
ア
（
一
）
又
は
サ
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く）。
（二）
グの幅に対する深さの比率が高い形状を形成することができるもののうち、次の全てに
異方性エッチング用に設計した装置であって、誘電体の材料に対して、エッチン
シリコン貫通電極の露出工程の終点検出の機能を有するもの
ウエハーの厚みの不均一性を補正するためのプロセス均一性調整機能を有するもの
二以上の独立したガスの供給源を有するもの
二以上の独立した高周波の電源を有するもの
エッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
異方性ドライエッチング用に設計した装置であって、次の全てに該当するもの
インプリントリソグラフィ装置であって、四・〇ナノメートル以下の重ね合わせ精度を
（二）
ウエハーを処理する枚数を平均で一パーセント以上増加させるように設計又は改造した
ヘ（一）２又はヲに該当する露光装置の任意の時間間隔における一時間当たりの
（一）・（二）
（略）
オノヰ（一）
次の全てに該当するもの
（三）
（二）
（一）
パルス直流電源を一以上有するもの
高周波の出力の電源を一以上有するもの
少なくともＮ型又はＰ型のいずれかの不純物の注入が可能なもの
置とともに、次のいずれかを実施するように設計又は改造した装置
エ深紫外液浸フォトリソグラフィ装置において、又は、深紫外液浸フォトリソグラフィ装
ク〜フ（略）コプラズマドーピング用に設計されたイオン注入装置のうち、次の全てに該当するもの
（略）うに設計した装置プラズマを用いて成膜するように設計した装
置
（
キ
（
三
）
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
）。率が一倍以上のものに限る。
）に比誘電率が三・三未満の低誘電層を空
が生じないように金属配線間の
間（幅が二五ナノメートル未満であり、かつ、当該幅に対する深さの比グラム超のカーボンハードマスクをプラズマを用いた化学的気相成長法により成膜するよ２１を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値を四五以下に減少させるもの
深紫外液浸フォトリソグラフィ装置のナノメートルで表した光源の波長に〇・二五
深紫外液浸フォトリソグラフィ装置の重ね合わせ精度を二・四ナノメートル以下に
（二）・（三）
できるもの
（略）オノヰ（新設）（新設）（新設）（新設）ク〜フ（略）プラズマを用いて成膜するように設計した装置
率が一倍以上のものに限る。
）に比誘電率が三・三未満の低誘電層を空
が生じないようにハードマスクをプラズマを用いた化学的気相成長法により成膜するように設計した装置（略）金属配線間の
間（幅が二五ナノメートル未満であり、かつ、当該幅に対する深さの比（削る）次の全てに該当するものウシリコン又はシリコンゲルマニウムのエピタキシャル成長用に設計した装置であって、ウ（一）
真空状態又は水と酸素の分圧が〇・〇一パスカル未満の不活性な環境を維持することが
複数のチャンバーを有し、かつ、複数の工程間において〇・〇一パスカル以下の
の
を
含
む
。）のエピタキシャル成長用に設計した装置であって、次の全てに該当するものシリコン（
炭
素
を
添
加
し
た
も
の
を
含
む
。）又はシリコンゲルマニウム（炭素を添加したも
厚さが二マイクロメートル超であり、かつ、密度が一立方センチメートル当たり一・七厚さが一〇〇ナノメートル超であり、かつ、応力が四五〇メガパスカル未満のカーボン
令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
２１するもの
るもの
２１（二）
（一）
該当するもの
次のいずれかを有するもの
波長が四〇〇ナノメートル未満の光源
分解能が一・六五ナノメートル以下の電子ビーム源
二一ナノメートル以下の大きさの欠陥を検出するように設計又は改造したもの
ミメユ〇度を超える温度で、二ミリ秒未満の持続時間で加熱できるように設計したもの
超臨界二酸化炭素又は昇華乾燥を用いるように設計した枚葉式のウエハー洗浄装置
付きウエハー欠陥測定装置又はパターン付きウエハー欠陥検査装置であって、次の全てに
直径三〇〇ミリメートル以上のウエハーを受け入れるように設計又は改造したパターン
三〇〇ミリメートルウエハー用に設計したアニール装置であって、ウエハーを一、〇〇
える等方的誘電体膜を成膜するように設計又は改造したもの
（五）
チャンバー内に、幅に対する深さの比率が五〇倍を超える形状に、比誘電率が三五を超
二種類以上の金属前駆体を直接液体注入する成膜装置であって、単一の成膜用の
も
の
を
除
く
。）２三・〇未満の比誘電率を有するもの
（四）
が一立方センチメートル当たり一・六グラムを超える材料を用いたもの（ヰに該当する
炭素材料を化学的気相成長法により成膜するように設計した装置であって、密度
トル未満のピッチを有し、かつ、一・八以上のアスペクト比を有するもの
（三）
１紫外線による硬化を行うもののうち、次の全てに該当する誘電体膜を成膜できるもの
装置であって、基板の温度を五〇〇度未満に維持しながら、誘電体膜を単一の装置上で
六ナノメートル超二〇ナノメートル未満の厚さの金属形状であって、二四ナノメー
プラズマ又はラジカルを用いた化学的気相成長法により成膜するように設計した
四キロパスカル以上の圧力で水素を含む還元剤を使用するプロセスチャンバーを有
キサる
も
の
を
除
く
。）に設計したもの
る
も
の
（
ネ
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
。）（二）
原子層堆積法により成膜するように設計又は改造した装置であって、次の全てに該当す
モリブデン若しくはルテニウム又はモリブデンとルテニウムを組み合わせた膜を
七五度を超える温度で動作するように設計又は改造した金属前駆体の供給源を有す
半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）クス誘導用の電磁石を有し、アスペクト比を三以上の形状に対して成膜するために特別
タングステンの膜を物理的気相成長法により成膜する装置であって、イオンフラッ
３２１シリコン貫通電極のアスペクト比が一〇以上のもの
ウエハー内のエッチングの深さの不均一性が二パーセント以下のもの
シリコンのエッチング速度が一分につき七マイクロメートルを超えるもの
極端紫外パターンシェイピング用に設計した装置（カ（一）、ヨ又はア（一）に該当す
（三）次
の
全
て
に
該
当
す
る
も
の
（
カ
、
ヨ
、
タ
、
ア
（
一
）
又
は
ア
（
二
）
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
）。
シリコン貫通電極を作るためのエッチングに用いるために設計した装置であって、（新設）（新設）（新設）（新設）（新設）令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)（七）
（六）
もの
（五）
（四）
（三）
（二）
（一）
部分品若しくは附属品
掲
げ
る
も
の
を
除
く
。）ロ四までのいずれにも該当しない記憶素子を製造するために設計したものを除く。
）又はその
ソグラフィ装置に用いるために設計したもの（イに該当するもの及び第一号から第八号の
位相シフト膜を有する多層マスクであって、光源の波長が二四五ナノメートル未満のリ
あって、次のいずれかに該当するもの
イのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの又はこれらの部分品若しくは附属品（ホに
マスク又はレチクル（ニに該当するものを除く。
）であって、第一号から第八号の四まで
十七の三
集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル又はこれらの部分品若しくは附属品で
ロ極低温ウエハープローバ装置であって、次の（一）及び（二）に該当するもの
（二）
（一）
直径が一〇〇ミリメートル以上のウエハーに対応するように設計したもの
零下二六八・六五度以下の温度で試験を行うことができるように設計したもの
加速電圧が二一キロボルトを超えるもの
画像を結合する際の視野の重なりが五〇ナノメートル未満のもの
計
し
た
も
の
を
除
く
。）いずれかに該当するもの
イト
・
オ
ー
プ
ニ
ン
グ
・
ユ
ニ
フ
ァ
イ
ド
・
ポ
ッ
ド
（
Ｆ
Ｏ
Ｕ
Ｐ
）
を
含
む
。）
用
に
ウ
エ
ハ
ー
搬
入
部
を
設ＳＥＭＩ規格に準拠したウエハーの搬送・保管容器（二〇〇ミリメートル以上のフロン
次の（一）から（七）までの全てに該当するもの（国際半導体製造装置材料協会が定めた
半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であって、
十七の二
半導体素子、集積回路又は半導体物質の製造用の装置又は試験装置であって、次の
レーザー干渉計によるステージ位置計測が可能なもの
ステージの位置決め精度が三〇ナノメートル未満のもの
画素数が二〇〇、〇〇〇、〇〇〇を超える画像の収集及び保存が可能なもの
レーザー干渉計による長さスケール計測に基づく視野の位置校正が可能なもの
画像を取得する際の視野の重なりが垂直方向及び水平方向で五パーセント未満の
のであって次のいずれかを有するもの
２１高速波長切り替え機能を有するもの
トラックへの組み込み用に設計されたもの
カスを改善するために測定値を利用するように設計したスタンドアロン装置
に設計した測定装置で、〇・五ナノメートル以下の重ね合わせ誤差測定精度を有するも
上のレジスト現像後又はエッチング後のフォーカス又は重ね合わせ誤差を測定するよう
（二）
画像ベースの重ね合わせ誤差又は回折ベースの測定技術を用いて、製品ウエハー
（一）
露光前にウエハー形状パラメータを測定し、開口数一・三超の液浸レンズを有す
る深紫外リソグラフィ装置又は極端紫外リソグラフィ装置の重ね合わせ誤差又はフォー
シ計測装置であって、次のいずれかに該当するもの
４３二以上の電子ビーム源
ビーム冷陰極電界放出型の電子ビーム源
（新設）（新設）したもの
十七の二
ペリクルであって、極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計
令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
ト未満のもの
ロゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセン
ゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又は
純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
イシリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不
十八の二
イ〜ヘ（略）ル材料となるもの
の結晶を有し、かつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、エピタキシャ
基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の一層以上からなる膜
（新設）イ〜ヘ（略）十九〜二十四（略）十九〜二十四（略）Ｐ型エピタキシャル層がＮ型層に挟まれていないものを除く。
）Ｎ型層に挟まれていないものを除く。
）リウムアルミニウムに限る。
）のＰ型エピタキシャル層を一層以上有するものであって、当該る。
）のＰ型エピタキシャル層を一層以上有するものであって、当該Ｐ型エピタキシャル層がウム、リン化インジウムガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガリウムアルミニウムに限ウムガリウム、リン化ガリウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジリウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジウム、リン化インジウムウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニウムガリウム、リン化ガ
るもの（次号に該当するもの又はニに該当する化合物（窒化ガリウム、窒化インジウムガリるもの（ニに該当する化合物（窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエピタキシャル材料となつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエピタキシャル材料とな十八基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層膜の結晶を有し、か十八基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層膜の結晶を有し、か（削る）十七の四
もの
（略）品
（
ホ
に
掲
げ
る
も
の
を
除
く
）。ホペリクルであって、極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計した
ニであって、次号に該当するマスクブランクを有するもの又はこれらの部分品若しくは附属
極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したマスク又はレチクル
かに該当する集積回路の製造用のもの又はその部分品若しくは附属品
ハインプリントリソグラフィテンプレートであって、第一号から第八号の四までのいずれ
十七の四
十七の三
（略）トヘホニハロイ除
く
。）レーザー干渉計によるステージ位置計測が可能なもの
ステージの位置決め精度が三〇ナノメートル未満のもの
加速電圧が二一キロボルトを超えるもの
画像を結合する際の視野の重なりが五〇ナノメートル未満のもの
画素数が二〇〇、〇〇〇、〇〇〇を超える画像の収集及び保存が可能なもの
レーザー干渉計による長さスケール計測に基づく視野の位置校正が可能なもの
画像を取得する際の視野の重なりが垂直方向及び水平方向で五パーセント未満のもの
ニング・ユニファイド・ポッド（ＦＯＵＰ）を含む。
）用にウエハー搬入部を設計したものを
Ｉ規格に準拠したウエハーの搬送・保管容器（二〇〇ミリメートル以上のフロント・オープ
て、次のイからトまでの全てに該当するもの（国際半導体製造装置材料協会が定めたＳＥＭ
半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であっ
令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)（削る）（削る）（削る）１一かつ、他の用途のためにプログラムの書き換えができないもの
スマートカードであって、次のいずれかに該当するもの号ヘのみに該当するものを除く。
）に限定して使用されるスマートカードであって、
データ機密性確保のための暗号機能が、本号イに該当しない装置又はシステム（本
１一ロイハ（十二）から（十六）までに該当するもの
暗号機能を有するように設計したもの以外のもの
（七）から（十）までのいずれにも該当しないもの
の又は非対称アルゴリズムを用いたものであって、データの機密性確保のための
対称アルゴリズムを用いたものであって対称
の長さが五六ビットを超えるも
めにプログラムの書き換えを行うことができないもの
スマートカードであって、次のいずれかに該当するもの次のいずれかに該当するものに限定されて使用するものであって、他の用途のた
ずれかに該当するもの又はこれらの部分品ずれかに該当するもの又はこれらの部分品（十一）暗号機能を有するスマートカード若しくはそのリーダライタであって、次のい（十一）暗号機能を有するスマートカード若しくはそのリーダライタであって、次のいのを除く。
）（一）〜（十）（略）（七）から（十）までのいずれかに該当するもの（（十一）から（十八）までに該当するもタの機密性確保のための暗号機能を有するように設計し、又は改造したもののうち、次の
るものとする。
一〜八の二（略）るものとする。
一〜八の二（略）るものを除く。
）るものを除く。
）イ対称アルゴリズムを用いたものであって対称
の長さが五六ビットを超えるもの又は非イ対称アルゴリズムを用いたものであって対称
の長さが五六ビットを超えるもの又は非対称アルゴリズム（アルゴリズムの安全性が次の（一）から（六）までのいずれかに該当対称アルゴリズム（アルゴリズムの安全性が次の（一）から（六）までのいずれかに該当九暗号装置又は暗号機能を実現するための部分品であって、次のイからホまでのいずれかに九暗号装置又は暗号機能を実現するための部分品であって、次のイからホまでのいずれかに該当するもの（第三条第十九号ハ（二）２、本号ヘ、第十一号又は第十条第五号イに該当す該当するもの（第三条第十九号ハ（二）２、本号ヘ、第十一号又は第十条第五号イに該当す第八条輸出令別表第一の九の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す第八条輸出令別表第一の九の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当すする困難性に基づくものに限る。
以下この号において同じ。
）を用いたものであって、デーする困難性に基づくものに限る。
以下この号において同じ。
）を用いたものであって、デー当するものを除く。
）（一）〜（十）（略）ち、次の（七）から（十）までのいずれかに該当するもの（（十一）から（二十）までに該能な
を仕
使組
用み
すの
る暗
こ号
と機
が能
で有
き効
る化
もの
の手
（段
当以
該外
暗の
号手
機段
能で
が暗
有号
効機
化能
さを
れ有
て効
い化
るで
もき
のる
をも
含の
むに
。限
）又る
。は）の安う全
タの機密性確保のための暗号機能を有するように設計し、又は改造したもの（当該暗号機
純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
ロゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセン
ゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又は
二十六
イずれかを含むもの又はこれらの基板若しくはインゴット、ブール又はその他のプリフォーム
シリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不
シリコン、シリコン酸化物、ゲルマニウム又はゲルマニウム酸化物であって、次のい
ロイを含むもの
ト未満のもの
純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
ゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセン
ゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又は
シリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不
二十五
シリコン又はゲルマニウムのふっ化物、水素化物又は塩化物であって、次のいずれか
（新設）（新設）一〜六（略）るものとする。
ト未満のもの
路を一つ以上有するもの
七電子計算機又はその電子組立品若しくは部分品であって、前条第一号ヨに該当する集積回
（新設）一〜六（略）るものとする。
第七条輸出令別表第一の八の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す第七条輸出令別表第一の八の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す 令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
（十二）
（削る）２１設計を変更する前の端末が、本号ヘに該当するもの
設計を変更する前の端末のデータの機密性確保のための暗号機能が、設計の変更に
よる影響を受けないものであって、公開された又は商業用の暗号標準のみを用いたも
（新設）（新設）て
い
な
い
も
の
に
限
る
）。又はこれらの部分品（削る）のしくは商業用の暗号標準のみを用いたもの又はその部分品
（十六）
無線パーソナルエリアネットワークに用いられる装置であって、公開された若
で、かつ、特定の民生産業用途に用いるために設計を変更したもの（暗号機能を変更し
（十四）
（十三）
（略）
１及び２に該当するもの又はこれらの部分品機端末であって、特定の民生産業用途に用いるために設計を変更したもののうち、次の
民生用に設計した携帯用電話機端末若しくは移動用電話機端末又は同等の無線
（十五）
（十四）
（略）
更できず、使用に際して供給者又は販売店の技術支援が不要であるように設計したもの
公開されていないものを含む。
）のみを用いたもののうち、暗号機能が使用者によって変
あって、公開された又は商業用の暗号標準（無断の複製を防止するためのものであって、民生用の携帯用電話機端末若しくは移動用電話機端末又は同等の無線機端末で
１・２（略）１・２（略）次の１及び２に該
当
す
る
も
の
（
衛
星
電
話
を
除
く
。）又はこれらの部分品
及び２に該当するもの又はこれらの部分品の移動体において使用するように設計したものをいう。
（十四）において同じ。
）であって、
用の電話をいう。
（十四）において同じ。
）若しくは移動用電話機端末（専ら自動車その他において使用するように設計したものをいう。
（十五）において同じ。
）であって、次の１
をいう。
（十五）において同じ。
）若しくは移動用電話機端末（専ら自動車その他の移動体
民生用に設計した携帯用電話機端末（携帯回線網用の電話その他の無線回線網（十三）
民生用の携帯用電話機端末（携帯回線網用の電話その他の無線回線網用の電話
性確保
令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)(分冊の)諸事項〔公告〕官庁事項〔官庁報告〕九）同八〇、同八一）瀬戸内海広域漁業調整委員会指示（瀬戸内海広域漁業調整委四八、同四（日本海・九州西広域漁業調整委七九、示日本海・九州西広域漁業調整委員会指〇）太平洋広域漁業調整委員会指示（太平洋広域漁業調整委四九、同五
〇輸出貿易管理令別表第一及び外国為術を定める省令の一部を改正する省替令別表の規定に基づき貨物又は技令（経済産業三四）
〔省令〕目次（号外）発 行 内 閣 府（原稿作成 国立印刷局）特殊法人等日本弁護士連合会公示送達・懲戒処会社その他会社決算公告分関係
〇経済産業省令第三十四号令の一部を改正する省令を次のように定める。
令和七年四月三日経済産業大臣武藤容治規定に基づき、輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省和二十四年政令第三百七十八号）別表第一及び外国為替令（昭和五十五年政令第二百六十号）別表の外国為替及び外国貿易法（昭和二十四年法律第二百二十八号）第六十九条の五、輸出貿易管理令（昭省令〇
〇 令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
設計したもの六十〜六十二（略）六十〜六十二（略）いた疎水性の触媒であって、水素と水との間で行われる水素の同位体交換を促進するためにあって、水素と水との間で行われる水素の同位体交換を促進するために設計したもの二十三〜五十八（略）
五十九水からトリチウムを回収するため又は重水を製
造
（
精
製
を
含
む
。）するための白金を用
二十三〜五十八（略）五十九重水からトリチウムを回収するため又は重水を製造するための白金を用いた触媒で
ハ・ニ（略）ハ・ニ（略）に該当するもの（一）〜（三）（略）に該当するもの（一）〜（三）（略）十の二〜二十一（略）（四）〜（六）（略）十の二〜二十一（略）（四）〜（六）（略）ロイの（略）炭素繊維、アラミド繊維若しくはガラス繊維、炭素繊維若しくはガラス繊維を使用したロイの（略）炭素繊維、アラミド繊維若しくはガラス繊維、炭素繊維若しくはガラス繊維を使用したプリプレグ又は炭素繊維若しくはアラミド繊維を使用した成型品であって、次のいずれかプリプレグ又は炭素繊維若しくはアラミド繊維を使用した成型品であって、次のいずれか二十二ガス遠心分離機のロータに用いられる構造材料であって、次のいずれかに該当するも二十二ガス遠心分離機のロータに用いられる構造材料であって、次のいずれかに該当するも（四）（一）に該当する繊維又は（三）に該当するプリプレグ（炭素繊維を使用したも（四）（一）に該当する繊維又は（三）に該当するプリプレグ（炭素繊維を使用したも
メートル未満、かつ、厚さが一二ミリメートル以下のもの
メートル未満のもののに限る。
）を用いた円筒形の成型品であって、内径が七五ミリメートル超六五〇ミリのに限る。
）を用いた円筒形の成型品であって、内径が七五ミリメートル超四〇〇ミリ
（一）（略）に該当するもの（イに該当するものを除く。
）るように設計したもの
ぬれ性を改善する処理を行ったりん青銅製のもののうち、メッシュ状のもの（三）真空蒸留用の塔に用いることができるように設計した充塡物であって、化学的に
４３２の
〇・一メガパスカル以上一メガパスカル以下の圧力範囲において用いることができ（略）
温度が零下二五八度以上零下二三八度以下で用いることができるように設計したも
零下二三八度以下の温度範囲において水素ぜい性のないものを用いたもの（二）低温で用いられる蒸留塔であって、次の１から４までの全てに該当するもの
１オーステナイト系ステンレス鋼又はこれと同等の材料であって、零下二五八度以上
４３２１るように設計したものにぬれ性を改善する処理を行った燐りん青
銅
製
のもののうち、メッシュ状のもの（三）真空蒸留用の塔に用いることができるように設計した充てん物であって、化学的
（略）温度が零下二三八度以下で用いることができるように設計したもの
〇・五メガパスカル以上五メガパスカル以下の圧力範囲において用いることができ（一）（略）に該当するもの（イに該当するものを除く。
）
細粒ステンレス鋼であって、水素ぜい性のないものを用いたもの（二）低温で用いられる蒸留塔であって、次の１から４までのすべてに該当するもの
一〜九（略）一〜九（略）様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
あって、次のいずれかに該当するものあって、次のいずれかに該当するものロイ（略）重水の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置であって、次のいずれかロイ（略）重水の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置であって、次のいずれか十重水素若しくは重水素化合物の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置で十重水素若しくは重水素化合物の製造に用いられる装置又はその部分品若しくは附属装置で（輸出貿易管理令別表第一関係）（輸出貿易管理令別表第一関係）第一条輸出貿易管理令（以下「輸出令」という。
）別表第一の二の項の経済産業省令で定める仕第一条輸出貿易管理令（以下「輸出令」という。
）別表第一の二の項の経済産業省令で定める仕改正後改正前輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令の一部を改正する省令輸出貿易管理令別表第一及び外国為替令別表の規定に基づき貨物又は技術を定める省令（平成三年通商産業省令第四十九号）の一部を次の表のように改正する。
（傍線部分は改正部分）令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)ヘ・ト（略）ヘ・ト（略）ホニイ〜ハ（略）ずれかに該当するもの（一）〜（四）（略）ホットメルト方式によりプリプレグを製造するために特に設計又は改造した装置
ホニイ〜ハ（略）
第十五号に該当する繊維を製造するために特に設計又は改造した装置であって、次のい繊維の製造用の装置であって、次のいずれかに該当するもの（一）〜（四）（略）ホットメルト方式を用いて第十五号ホに該当するプリプレグを製造する装置
るものを除く。
）く。
）て、次のいずれかに該当するもの又はその部分品若しくは附属品（第三条第十一号に該当すれかに該当するもの又はその部分品若しくは附属品（第三条第十一号に該当するものを除一〜三（略）四
繊維又はこれを使用したプリプレグ、プリフォーム若しくは成型品の製造用の装置であっ一〜三（略）
四第二号、第十五号又は第十四条第一号に該当するものの製造用の装置であって、次のいず２（略）四〜六（略）２（略）四〜六（略）ン、ボツリヌス毒素、ボルケンシン、ミクロシスチン又はモデシンボルケンシン、ミクロシスチン又はモデシンるものとする。
るものとする。
第四条輸出令別表第一の五の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す第四条輸出令別表第一の五の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す
トキシン、ネオサキシトキシン、ノジュラリン、パリトキシン、ビスカミン、ブレベトキシシン、コノトキシン、ジアセトキシスシルペノール、志賀毒素、Ｔ
２トキシン、テトロドトキシン、ノジュラリン、パリトキシン、ビスカミン、ブレベトキシン、ボツリヌス毒素、シン、コノトキシン、ジアセトキシスシルペノール、志賀毒素、Ｔ
２トキシン、テトロド３（略）十二（略）ロ（略）３（略）十二（略）ロ（略）したもの一・二（略）に該当するものとする。
一・二（略）に該当するものとする。
色ブドウ球菌毒素（腸管毒素、アルファ毒素及び毒素性ショック症候群毒素）、ゴニオトキ色ブドウ球菌毒素（腸管毒素、アルファ毒素及び毒素性ショック症候群毒素）、ゴニオトキファ、ベータ１、ベータ２、イプシロン又はイオタの毒素に限る。
）、ＨＴ
２トキシン、黄ファ、ベータ１、ベータ２、イプシロン又はイオタの毒素に限る。
）、ＨＴ
２トキシン、黄三毒素（免疫毒素を除く。
）であって、アフラトキシン、アブリン、ウェルシュ菌毒素（アル三毒素（免疫毒素を除く。
）であって、アフラトキシン、アブリン、ウェルシュ菌毒素（アル第二条の二輸出令別表第一の三の二の項（一）の経済産業省令で定めるものは、次のいずれか第二条の二輸出令別表第一の三の二の項（一）の経済産業省令で定めるものは、次のいずれか十一イ空気中の物質を検知する装置であって、次のいずれかに該当するもの
十一イ
たり〇・三ミリグラム未満であり、かつ、連続して使用するように設計したもの
ム未満であっても検知することができるものであり、かつ、連続して使用するように設計前項に掲げるものについて空気中において検知できる最小検出限界が一立方メートル当前項に掲げるものについて空気中における濃度が一立方メートル当たり〇・三ミリグラ空気中の物質を検知する装置であって、次のいずれかに該当するもの
二・三（略）イ〜イイ（略）イロ
ジプロピルアミン
（新設）二・三（略）イ〜イイ（略）一〜十（略）するものとする。
一〜十（略）するものとする。
２輸出令別表第一の三の項（二）の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当２輸出令別表第一の三の項（二）の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当るものとする。
るものとする。
を含む混合物であって、いずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるものを含む混合物であって、いずれかの物質の含有量が全重量の三〇パーセントを超えるもの一軍用の化学製剤の原料となる物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質一軍用の化学製剤の原料となる物質として、次のいずれかに該当するもの又はこれらの物質第二条輸出令別表第一の三の項（一）の経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当す第二条輸出令別表第一の三の項（一）の経済産業省令で定めるものは、次のいずれかに該当す 令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
（一）〜（三）（略）（一）〜（三）（略）に該当するもの（民生用の自動車又は鉄道車両用に設計した集積回路を除く。
）に該当するもの（民生用の自動車又は鉄道車両用に設計した集積回路を除く。
）ＦＦＴプロセッサ、スタティック式のラム又は不揮発性メモリーであって、次のいずれかＦＦＴプロセッサ、スタティック式のラム又は不揮発性メモリーであって、次のいずれかものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。
以下この条において同じ。
）、ものであるかどうかの判断をすることができるものを除く。
以下この条において同じ。
）、表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計した表第一の五から一五までの項の中欄のいずれかに該当する貨物に使用するように設計したでのいずれかに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別プログラマブルロジックデバイス、カスタム集積回路（ハからチまで若しくはルからヨまでのいずれかに該当する貨物であるかどうかの判断をすることができるもの又は輸出令別プログラマブルロジックデバイス、カスタム集積回路（ハからチまで若しくはルからカまナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールドナログ変換用のもの、信号処理用の電気光学的集積回路若しくは光集積回路、フィールド
るものとする。
るものとする。
ロイ（略）マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、化合物半導体をロイ（略）マイクロプロセッサ、マイクロコンピュータ、マイクロコントローラ、化合物半導体を有しデジタル化されたデータを記録し、若しくは処理することができるもの、デジタルア有しデジタル化されたデータを記録し、若しくは処理することができるもの、デジタルア用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、アナログデジタル変換機能を用いた記憶素子用のもの、アナログデジタル変換用のもの、アナログデジタル変換機能をノリシックマイクロ波集積回路を含む。
）であって、次のいずれかに該当するものノリシックマイクロ波集積回路を含む。
）であって、次のいずれかに該当するもの一集積回路（モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路、マルチチップ集積回路、膜形一集積回路（モノリシック集積回路、ハイブリッド集積回路、マルチチップ集積回路、膜形集積回路（シリコンオンサファイア集積回路を含む。
）、光集積回路、三次元集積回路及びモ集積回路（シリコンオンサファイア集積回路を含む。
）、光集積回路、三次元集積回路及びモ第六条輸出令別表第一の七の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す第六条輸出令別表第一の七の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当するものとする。
一〜十一（略）（二）
（一）
（三）
（二）
（一）
不活性ガス
電気放電
レーザー
電子ビーム
ロ次のいずれかの制御されたプロセス環境を有するもの
のニラメータ、製造経路又は機器設定を修正するように設計された閉ループ制御が可能なもの
ハに該当するインプロセス監視装置からのフィードバックに応じて、造形中に熱源のパ
の波長範囲で最大感度を有するもの
（三）
放射計又は分光機であって、三八〇ナノメートル超三、〇〇〇ナノメートル以下
一〇〇パスカル以下の真空
ハ（一）
次のいずれかの同軸構成又は近軸構成であるインプロセス監視装置を有するもの
電子式のカメラであって、三八〇ナノメートル超一四、〇〇〇ナノメートル以下
の波長範囲で最大感度を有するもの
（二）
パイロメーターであって、一、〇〇〇度以上の温度を計測するために設計したも
イ次のいずれかの熱源を有するもの
イからニまでの全てに該当するもの又はそのために特に設計された部分品
十二
金属若しくは合金の部品を製造するために設計された積層造形用の装置であって、次の
（新設）るものとする。
一〜十一（略）第五条輸出令別表第一の六の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す第五条輸出令別表第一の六の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す五〜十五（略）五〜十五（略）十六粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほう素であって、ほう素の重量比による純度が十六粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほう素であって、ほう素の重量比による純度が八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほ八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、粒子の径が六〇マイクロメートル以下のほグアニジン、ニトログアニジン又は五ふっ化よう素
う素合金であって、ほう素の重量比が八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、硝酸グアニジン又はニトログアニジン
う素合金であって、ほう素の重量比が八五パーセント以上のもの若しくはその混合物、硝酸令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)ヨチリ〜カ（略）ハ〜ト（略）ニューラルネットワークを用
い
た
も
の
（
ヨ
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
）。を有するもの
つ以上有するもの
（四）
合わせであって、それらの合計処理性能（ＴＰＰ）の総和が六、〇〇〇以上であるもの
（一）から（三）までのデジタルプロセッサユニットと基本演算ユニットの組み
プロセッサユニットを一つ以上有するもの
（三）
合計処理性能（ＴＰＰ）が六、〇〇〇以上であるアナログ基本演算ユニットを一
（ＴＰＰ）が六、〇〇〇以上であるデジタル基本演算ユニットを一つ以上有するもの
（二）
（一）で指定された機械語命令の実行に寄与するユニットを除き、合計処理性能
するもの又はこれらに該当するようにプログラムが可能なもの
（一）
合計処理性能（ＴＰＰ）が六、〇〇〇以上である機械語命令を実行するデジタル
送速度の総計が六〇〇ギガバイト毎秒以上である集積回路であって、次のいずれかに該当
揮発性メモリを含まない他の集積回路との間の全ての入力及び出力にわたる双方向の転
（新設）リ〜カ（略）ハ〜ト（略）チニューラルネットワークを用いたもの
ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるものヌ〜カ（略）（四）（略）（削る）において、雑音指数が〇・〇一五デシベル未満のもの
（三）
（二）
（一）
零下二七二・一五度未満の温度で作動するように設計したもの
動作周波数が二ギガヘルツ超一五ギガヘルツ以下かつ零下二七二・一五度の温度
動作周波数が二ギガヘルツ超一五ギガヘルツ以下で作動するように設計したもの
ヨパラメトリック信号増幅器であって、次の（一）から（三）までの全てに該当するもの
三〜十一（略）三〜十一（略）２１２１（略）該当するもの周波数帯域が一一〇ギガヘルツを超えるもの
該当するもの周波数帯域が九〇ギガヘルツを超えるもの
次のいずれかに該当するもの次のいずれかに該当するものミリワット（二〇ディービーエム）を超えるものリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの（三）ネットワークアナライザーの動作範囲を拡張するように設計したものであって、（三）ネットワークアナライザーの動作範囲を拡張するように設計したものであって、周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下であって、出力が一〇〇周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、出力が一〇〇ミイ〜チ（略）イ〜チ（略）二マイクロ波用機器又はミリ波用機器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの二マイクロ波用機器又はミリ波用機器の部分品であって、次のいずれかに該当するもの設計したもの計したもの（二）信号発生器の動作範囲を拡張するように設計したものであって、次のいずれかに（二）信号発生器の動作範囲を拡張するように設計したものであって、次のいずれかにリハーモニックミクサ又はコンバータであって、次のいずれかに該当するものリハーモニックミクサ又はコンバータであって、次のいずれかに該当するもの（一）スペクトラムアナライザーの周波数帯域を一一〇ギガヘルツ超に拡張するように（一）スペクトラムアナライザーの周波数帯域を九〇ギガヘルツ超に拡張するように設
周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下であって、出力が一〇〇周波数帯域が四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下であって、出力が三一・六
ト（〇ディービーエム）を超えるもの
二ミリワット（一五ディービーエム）を超えるもの周波数帯域が九〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下であって、出力が一ミリワッ
（新規）ヌ〜カ（略）（四）（略）３２１２１（略） 令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
作周波数
セット周波
作周波数
セット周波20log10で表した動−20log10波数とオフ−12620log10で表した動−20log10波数とオフ−126
メガヘルツ
した動作周
ヘルツで表
メガヘルツ
した動作周
ヘルツで表
く。）く。
）（一）〜（五）（略）ハ次のいずれかに該当するもの（一）〜（五）（略）ハ次のいずれかに該当するものリワット（二〇ディービーエム）を超えるものワット（二〇ディービーエム）を超えるもの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のものニ搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次のいずれかに該当するものニ搬送波に対する一ヘルツ当たりの単側波帯位相雑音の比が次のいずれかに該当するもの（一）
三・二ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作（一）
三・二ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作周周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの波数とオフセット周波数の隔たりが一〇ヘルツ以上一〇キロヘルツ以下のいずれかの周を超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの超えるいずれかの周波数切換えの所要時間が一〇〇マイクロ秒未満のもの（六）
七五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツ（六）
七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツをロイ（略）
四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、出力一〇〇ミロイ（略）
四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、出力一〇〇ミリ十三信号発生器であって、次のいずれかに該当するもの（二以上の水晶発振器の周波数を加十三信号発生器であって、次のいずれかに該当するもの（二以上の水晶発振器の周波数を加算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除算した値、減算した値又はこれらの値を逓倍した値によって出力周波数を規定する装置を除を一〇〇パーセントの確率で捉えるもの号を一〇〇パーセントの確率で捉えるもの２１三デシベル未満で、一〇〇パーセントの確率で検出するもの周波数マスクトリガー機能を有するものであって、八マイクロ秒以下の長さの信号
八マイクロ秒以下の長さの信号を、ギャップ又は窓効果による全振幅からの減衰が２１が三デシベル未満で、一〇〇パーセントの確率で検出するもの周波数マスクトリガー機能を有するものであって、一五マイクロ秒以下の長さの信
一五マイクロ秒以下の長さの信号を、ギャップ又は窓効果による全振幅からの減衰
数の隔たり
数の隔たり
（二）三・二ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作（二）三・二ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの出力周波数帯域で、動作周20log10で表した動−206
作周波数
メガヘルツ
20log10で表した動−206
作周波数
メガヘルツ
かの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のものの周波数帯域において、次に掲げる式により算定した値未満のもの周波数とオフセット周波数の隔たりが一〇キロヘルツ超一〇〇キロヘルツ以下のいずれ波数とオフセット周波数の隔たりが一〇キロヘルツ超一〇〇キロヘルツ以下のいずれかニハロイ（二）次のいずれかに該当するもの（一）実時間帯域幅が五二〇メガヘルツを超えるもの
次の（一）及び（二）に該当するものズレベルがマイナス一六〇ディービーエム毎ヘルツ未満のもの
一一〇ギガヘルツを超える周波数を分析することができるもの（二）次のいずれかに該当するもの（一）実時間帯域幅が一七〇メガヘルツを超えるもの
ニハ次の（一）及び（二）に該当するもの
レベルがマイナス一五〇ディービーエム毎ヘルツ未満のもの
九〇ギガヘルツを超える周波数を分析することができるもの十二スペクトラムアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの十二スペクトラムアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの（略）
四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、表示平均ノイロイ（略）
四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの周波数帯域で、表示平均ノイズ令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)リ削除
チ削除
ト削除
（三）・（四）（略）（二）ることイがンでプきリるンも
トの
リ（
ソテ
グに
ラ該
フ当
ィす
装る
置も
での
あを
っ除
てく
、。）四五ナノメートル以下の線幅を実現すリチト路の製造用のもの
（三）・（四）（略）かに該当する集積回路の製造用のもの
ソ四
グま
ラで
フの
ィい
装ず
置れ
にに
用も
い該
る当
たし
めな
にい
設記
計憶
し素
た子
もを
の製
（造
トす
にる
該た
当め
すに
る設
も計
のし
及た
びも
第の
一を
号除
かく
）ら。
第
八
号
の
インプリントリソグラフィテンプレートであって、第一号から第八号の四までのいずれ位相シフト膜を有する多層マスクであって、光源の波長が二四五ナノメートル未満のリ
マスク又はレチクルであって、第一号から第八号の四までのいずれかに該当する集積回
ることができるもの
（二）インプリントリソグラフィ装置であって、四五ナノメートル以下の線幅を実現すロ〜ホ（略）（三）（略）をエピタキシャル成長させるものロ〜ホ（略）（三）（略）キシャル成長させるもの（一）（略）（一）（略）ヘリソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するものヘリソグラフィ装置であって、次のいずれかに該当するものものを除く。
）（一）（略）ものを除く。
）（一）（略）イ結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの（ウに該当するイ結晶のエピタキシャル成長装置であって、次のいずれかに該当するもの（ウに該当する（二）
砒ひ素、りん、アンチモン、酸素又は窒素のいずれか二以上の元素を有する化合物半導体有機金属化学的気相成長反応炉であって、アルミニウム、ガリウム、インジウム、ん
砒ひ素、燐り、アンチモン又は窒素のいずれか二以上の元素を有する化合物半導体をエピタ（二）有機金属化学的気相成長反応炉であって、アルミニウム、ガリウム、インジウム、部分品若しくは附属品
十七半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（ホ及びレにおいて「半導体製造装置」という。
）若しくは試験装置であって、次のいずれかに該当するもの又はこれらの
十七製造装置」という。
）若しくは試験装置若しくは集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル半導体素子、集積回路若しくは半導体物質の製造用の装置（ホ及びレにおいて「半導体
でる
あも
っの
てを
、除
次く
の。）いずれかに該当するもの又はこれらの部分品若しくは附属品（次号に該当す
十四イヘロ削除
（一）〜（三）（略）
を超えるもの最大出力周波数が一一〇ギガヘルツを超えるもの
力が一〇〇ミリワット（二〇ディービーエム）を超えるもの
ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するものを供給する定格のもの
ロイ十五〜十六の二（略）十六の三
極低温用の冷却装置又はその部分品であって、次のいずれかに該当するもの
零下二七三・〇五度以下の温度において、四八時間超にわたって、六〇〇マイクロワッ
ニ（略）ハ能を有するもの（イに該当するものを除く。
）五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機ト以上の冷凍出力を供給する定格のもの
のであり、かつ、零下二六八・九五度以下の温度において、一・五ワット以上の冷凍出力
二段式のパルスチューブ冷凍機であって、温度を零下二六九・一五度未満に維持するも
（新設）ニ（略）十五〜十六の二（略）（一）〜（三）（略）
超えるもの最大出力周波数が九〇ギガヘルツを超えるもの
ハロ十四イヘ
ネットワークアナライザーであって、次のいずれかに該当するもの
能を有するもの（イ又はロに該当するものを除く。
）五〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の周波数帯域における非線形ベクトルの計測機一ミリワット（〇ディービーエム）を超えるもの
が三一・六二ミリワット（一五ディービーエム）を超えるもの九〇ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力が
幅が次のいずれかに該当するもの幅が次のいずれかに該当するものホデジタルベースバンド信号をベクトル変調する機能を有するもので、ベクトル変調帯域ホデジタルベースバンド信号をベクトル変調する機能を有するもので、ベクトル変調帯域（四）七五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツ（四）七五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下の出力周波数帯域で、五・〇ギガヘルツを四三・五ギガヘルツ超一一〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出四三・五ギガヘルツ超九〇ギガヘルツ以下のいずれかの動作周波数帯域において、出力 令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
ム（略）（一）・（二）（略）ム（略）（一）・（二）（略）（一）・（二）（略）ネ・ナ（略）ラ成膜装置であって、次のいずれかに該当するも
の
（
キ
（
三
）
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
）。く。）ネ・ナ（略）（一）・（二）（略）ラ成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの
ずれかに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。
）うに設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの（レ（二）に該当するものを除ツソ（一）・（二）（略）
特定半導体製造装置のうち、金属の層を成膜するように設計した装置であって、次のいてに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。
）（五）〜（十）（略）
特定半導体製造装置のうち、金属の層を成膜するように設計した装置であって、次の全１〜３（略）に該当するものを除く。
）次に掲げる全ての工程により金属のコンタクト層を成膜するように設計したもの（（二）によって成膜するように設計したもの（以下「特定半導体製造装置」という。
）のうち、ツソ（一）・（二）（略）
〇・〇一パスカル以下の真空状態又は不活性ガスの環境において金属の層を成膜するように設計した装置であって、次の全てに該当するもの（レ（二）に該当するものを除く。
）（五）〜（十）（略）
〇・〇一パスカル以下の真空状態又は不活性ガスの環境において金属の層を成膜するよ１〜３（略）するように設計したもの（（二）に該当するものを除く。
）体製造装置」という。
）のうち、次に掲げる全ての工程により金属のコンタクト層を成膜
空状態又は不活性の環境を維持することができるように設計したもの（以下「特定半導によって成膜するものであり、かつ、複数の工程間において〇・〇一パスカル以下の真
半導体製造装置であって、複数のチャンバー又はステーション内での複数の工程（四）半導体製造装置であって、複数のチャンバー又はステーション内での複数の工程（四）３２１（略）
工程を有するものを有するもの（一）・（二）（略）（一）・（二）（略）（一）高周波のパルス出力の電源を一以上有するもの（一）高周波のパルス出力の電源を一以上有するものレ半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するものレ半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの（二）切替時間が三〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するもの（二）切替時間が三〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するものに設計した装置であって、次の全てに該当するもの（（二）に該当するものを除く。
）に設計した装置であって、次の全てに該当するもの（（二）に該当するものを除く。
）（三）単一のチャンバー内での複数の工程によって金属のコンタクト層を成膜するよう（三）単一のチャンバー内での複数の工程によって金属のコンタクト層を成膜するよう２１
（略）水素、水素と窒素の混合物又はアンモニアを用いたプラズマにより表面処理を行う
２１（略）
水素（水素と窒素又はア
ン
モ
ニ
ア
と
の
混
合
物
を
含
む
。）を用いたプラズマによる工程
又はサに該当するものを除く。
）のを除く。
）状を形成することができるもののうち、次の全てに該当するもの（カ（二）、ヨ、ア（一）状を形成することができるもののうち、次の全てに該当するもの（カ又はヨに該当するも
に対する深さの比率が三〇倍を超え、かつ、当該幅の寸法が一〇〇ナノメートル未満の形に対する深さの比率が三〇倍を超え、かつ、当該幅の寸法が一〇〇ナノメートル未満の形タヨ（略）る。
）を有するもの異方性エッチング用に設計した装置であって、誘電体の材料に対して、エッチングの幅タヨ（略）る。
）を有するもの異方性エッチング用に設計した装置であって、誘電体の材料に対して、エッチングの幅切替時間が五〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するもの切替時間が三〇〇ミリ秒未満の高速ガス切替弁を一以上有するもの静電チャック（個別に温度を制御することができる領域を一〇以上有するものに限静電チャック（個別に温度を制御することができる領域を二〇以上有するものに限
３２１（略）
ヌ〜ワ（略）ヌ〜ワ（略）（一）（略）（一）（略）カドライエッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するものカドライエッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの当するも
の
（
ア
（
一
）
又
は
サ
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
）。（二）異方性ドライエッチング用に設計し、又は改造した装置であって、次の全てに該当するもの
（二）異方性ドライエッチング用に設計し、又は改造した装置であって、次の全てに該令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)４３２１アテ有するもの
もの
するもの
２１エッチングの幅に対する深さの比率が三〇を超えるもの
エッチングの幅の上面の寸法が四〇ナノメートル未満のもの
該
当
す
る
も
の
（
カ
（
二
）、
ヨ
、
タ
、
ア
（
一
）
又
は
サ
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く）。
（二）
グの幅に対する深さの比率が高い形状を形成することができるもののうち、次の全てに
異方性エッチング用に設計した装置であって、誘電体の材料に対して、エッチン
シリコン貫通電極の露出工程の終点検出の機能を有するもの
ウエハーの厚みの不均一性を補正するためのプロセス均一性調整機能を有するもの
二以上の独立したガスの供給源を有するもの
二以上の独立した高周波の電源を有するもの
エッチング用に設計した装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）
異方性ドライエッチング用に設計した装置であって、次の全てに該当するもの
インプリントリソグラフィ装置であって、四・〇ナノメートル以下の重ね合わせ精度を
（二）
ウエハーを処理する枚数を平均で一パーセント以上増加させるように設計又は改造した
ヘ（一）２又はヲに該当する露光装置の任意の時間間隔における一時間当たりの
（一）・（二）
（略）
オノヰ（一）
次の全てに該当するもの
（三）
（二）
（一）
パルス直流電源を一以上有するもの
高周波の出力の電源を一以上有するもの
少なくともＮ型又はＰ型のいずれかの不純物の注入が可能なもの
置とともに、次のいずれかを実施するように設計又は改造した装置
エ深紫外液浸フォトリソグラフィ装置において、又は、深紫外液浸フォトリソグラフィ装
ク〜フ（略）コプラズマドーピング用に設計されたイオン注入装置のうち、次の全てに該当するもの
（略）うに設計した装置プラズマを用いて成膜するように設計した装
置
（
キ
（
三
）
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
）。率が一倍以上のものに限る。
）に比誘電率が三・三未満の低誘電層を空
が生じないように金属配線間の
間（幅が二五ナノメートル未満であり、かつ、当該幅に対する深さの比グラム超のカーボンハードマスクをプラズマを用いた化学的気相成長法により成膜するよ２１を乗じて得た数値を開口数の値で除して得た数値を四五以下に減少させるもの
深紫外液浸フォトリソグラフィ装置のナノメートルで表した光源の波長に〇・二五
深紫外液浸フォトリソグラフィ装置の重ね合わせ精度を二・四ナノメートル以下に
（二）・（三）
できるもの
（略）オノヰ（新設）（新設）（新設）（新設）ク〜フ（略）プラズマを用いて成膜するように設計した装置
率が一倍以上のものに限る。
）に比誘電率が三・三未満の低誘電層を空
が生じないようにハードマスクをプラズマを用いた化学的気相成長法により成膜するように設計した装置（略）金属配線間の
間（幅が二五ナノメートル未満であり、かつ、当該幅に対する深さの比（削る）次の全てに該当するものウシリコン又はシリコンゲルマニウムのエピタキシャル成長用に設計した装置であって、ウ（一）
真空状態又は水と酸素の分圧が〇・〇一パスカル未満の不活性な環境を維持することが
複数のチャンバーを有し、かつ、複数の工程間において〇・〇一パスカル以下の
の
を
含
む
。）のエピタキシャル成長用に設計した装置であって、次の全てに該当するものシリコン（
炭
素
を
添
加
し
た
も
の
を
含
む
。）又はシリコンゲルマニウム（炭素を添加したも
厚さが二マイクロメートル超であり、かつ、密度が一立方センチメートル当たり一・七厚さが一〇〇ナノメートル超であり、かつ、応力が四五〇メガパスカル未満のカーボン
令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
２１するもの
るもの
２１（二）
（一）
該当するもの
次のいずれかを有するもの
波長が四〇〇ナノメートル未満の光源
分解能が一・六五ナノメートル以下の電子ビーム源
二一ナノメートル以下の大きさの欠陥を検出するように設計又は改造したもの
ミメユ〇度を超える温度で、二ミリ秒未満の持続時間で加熱できるように設計したもの
超臨界二酸化炭素又は昇華乾燥を用いるように設計した枚葉式のウエハー洗浄装置
付きウエハー欠陥測定装置又はパターン付きウエハー欠陥検査装置であって、次の全てに
直径三〇〇ミリメートル以上のウエハーを受け入れるように設計又は改造したパターン
三〇〇ミリメートルウエハー用に設計したアニール装置であって、ウエハーを一、〇〇
える等方的誘電体膜を成膜するように設計又は改造したもの
（五）
チャンバー内に、幅に対する深さの比率が五〇倍を超える形状に、比誘電率が三五を超
二種類以上の金属前駆体を直接液体注入する成膜装置であって、単一の成膜用の
も
の
を
除
く
。）２三・〇未満の比誘電率を有するもの
（四）
が一立方センチメートル当たり一・六グラムを超える材料を用いたもの（ヰに該当する
炭素材料を化学的気相成長法により成膜するように設計した装置であって、密度
トル未満のピッチを有し、かつ、一・八以上のアスペクト比を有するもの
（三）
１紫外線による硬化を行うもののうち、次の全てに該当する誘電体膜を成膜できるもの
装置であって、基板の温度を五〇〇度未満に維持しながら、誘電体膜を単一の装置上で
六ナノメートル超二〇ナノメートル未満の厚さの金属形状であって、二四ナノメー
プラズマ又はラジカルを用いた化学的気相成長法により成膜するように設計した
四キロパスカル以上の圧力で水素を含む還元剤を使用するプロセスチャンバーを有
キサる
も
の
を
除
く
。）に設計したもの
る
も
の
（
ネ
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
。）（二）
原子層堆積法により成膜するように設計又は改造した装置であって、次の全てに該当す
モリブデン若しくはルテニウム又はモリブデンとルテニウムを組み合わせた膜を
七五度を超える温度で動作するように設計又は改造した金属前駆体の供給源を有す
半導体製造装置のうち、成膜装置であって、次のいずれかに該当するもの
（一）クス誘導用の電磁石を有し、アスペクト比を三以上の形状に対して成膜するために特別
タングステンの膜を物理的気相成長法により成膜する装置であって、イオンフラッ
３２１シリコン貫通電極のアスペクト比が一〇以上のもの
ウエハー内のエッチングの深さの不均一性が二パーセント以下のもの
シリコンのエッチング速度が一分につき七マイクロメートルを超えるもの
極端紫外パターンシェイピング用に設計した装置（カ（一）、ヨ又はア（一）に該当す
（三）次
の
全
て
に
該
当
す
る
も
の
（
カ
、
ヨ
、
タ
、
ア
（
一
）
又
は
ア
（
二
）
に
該
当
す
る
も
の
を
除
く
）。
シリコン貫通電極を作るためのエッチングに用いるために設計した装置であって、（新設）（新設）（新設）（新設）（新設）令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)（七）
（六）
もの
（五）
（四）
（三）
（二）
（一）
部分品若しくは附属品
掲
げ
る
も
の
を
除
く
。）ロ四までのいずれにも該当しない記憶素子を製造するために設計したものを除く。
）又はその
ソグラフィ装置に用いるために設計したもの（イに該当するもの及び第一号から第八号の
位相シフト膜を有する多層マスクであって、光源の波長が二四五ナノメートル未満のリ
あって、次のいずれかに該当するもの
イのいずれかに該当する集積回路の製造用のもの又はこれらの部分品若しくは附属品（ホに
マスク又はレチクル（ニに該当するものを除く。
）であって、第一号から第八号の四まで
十七の三
集積回路の製造用のマスク若しくはレチクル又はこれらの部分品若しくは附属品で
ロ極低温ウエハープローバ装置であって、次の（一）及び（二）に該当するもの
（二）
（一）
直径が一〇〇ミリメートル以上のウエハーに対応するように設計したもの
零下二六八・六五度以下の温度で試験を行うことができるように設計したもの
加速電圧が二一キロボルトを超えるもの
画像を結合する際の視野の重なりが五〇ナノメートル未満のもの
計
し
た
も
の
を
除
く
。）いずれかに該当するもの
イト
・
オ
ー
プ
ニ
ン
グ
・
ユ
ニ
フ
ァ
イ
ド
・
ポ
ッ
ド
（
Ｆ
Ｏ
Ｕ
Ｐ
）
を
含
む
。）
用
に
ウ
エ
ハ
ー
搬
入
部
を
設ＳＥＭＩ規格に準拠したウエハーの搬送・保管容器（二〇〇ミリメートル以上のフロン
次の（一）から（七）までの全てに該当するもの（国際半導体製造装置材料協会が定めた
半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であって、
十七の二
半導体素子、集積回路又は半導体物質の製造用の装置又は試験装置であって、次の
レーザー干渉計によるステージ位置計測が可能なもの
ステージの位置決め精度が三〇ナノメートル未満のもの
画素数が二〇〇、〇〇〇、〇〇〇を超える画像の収集及び保存が可能なもの
レーザー干渉計による長さスケール計測に基づく視野の位置校正が可能なもの
画像を取得する際の視野の重なりが垂直方向及び水平方向で五パーセント未満の
のであって次のいずれかを有するもの
２１高速波長切り替え機能を有するもの
トラックへの組み込み用に設計されたもの
カスを改善するために測定値を利用するように設計したスタンドアロン装置
に設計した測定装置で、〇・五ナノメートル以下の重ね合わせ誤差測定精度を有するも
上のレジスト現像後又はエッチング後のフォーカス又は重ね合わせ誤差を測定するよう
（二）
画像ベースの重ね合わせ誤差又は回折ベースの測定技術を用いて、製品ウエハー
（一）
露光前にウエハー形状パラメータを測定し、開口数一・三超の液浸レンズを有す
る深紫外リソグラフィ装置又は極端紫外リソグラフィ装置の重ね合わせ誤差又はフォー
シ計測装置であって、次のいずれかに該当するもの
４３二以上の電子ビーム源
ビーム冷陰極電界放出型の電子ビーム源
（新設）（新設）したもの
十七の二
ペリクルであって、極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計
令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
ト未満のもの
ロゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセン
ゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又は
純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
イシリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不
十八の二
イ〜ヘ（略）ル材料となるもの
の結晶を有し、かつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、エピタキシャ
基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の一層以上からなる膜
（新設）イ〜ヘ（略）十九〜二十四（略）十九〜二十四（略）Ｐ型エピタキシャル層がＮ型層に挟まれていないものを除く。
）Ｎ型層に挟まれていないものを除く。
）リウムアルミニウムに限る。
）のＰ型エピタキシャル層を一層以上有するものであって、当該る。
）のＰ型エピタキシャル層を一層以上有するものであって、当該Ｐ型エピタキシャル層がウム、リン化インジウムガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガガリウム、リン化アルミニウムインジウム又はリン化インジウムガリウムアルミニウムに限ウムガリウム、リン化ガリウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジリウム、砒化ガリウム、砒化アルミニウムガリウム、リン化インジウム、リン化インジウムウム、窒化アルミニウムガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニガリウム、窒化インジウムアルミニウム、窒化インジウムアルミニウムガリウム、リン化ガ
るもの（次号に該当するもの又はニに該当する化合物（窒化ガリウム、窒化インジウムガリるもの（ニに該当する化合物（窒化ガリウム、窒化インジウムガリウム、窒化アルミニウムつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエピタキシャル材料となつ、当該結晶がエピタキシャル成長されているもののうち、ヘテロエピタキシャル材料とな十八基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層膜の結晶を有し、か十八基板であって、当該基板の上に次のいずれかに該当する物質の多層膜の結晶を有し、か（削る）十七の四
もの
（略）品
（
ホ
に
掲
げ
る
も
の
を
除
く
）。ホペリクルであって、極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計した
ニであって、次号に該当するマスクブランクを有するもの又はこれらの部分品若しくは附属
極端紫外を用いて集積回路を製造するための装置用に特に設計したマスク又はレチクル
かに該当する集積回路の製造用のもの又はその部分品若しくは附属品
ハインプリントリソグラフィテンプレートであって、第一号から第八号の四までのいずれ
十七の四
十七の三
（略）トヘホニハロイ除
く
。）レーザー干渉計によるステージ位置計測が可能なもの
ステージの位置決め精度が三〇ナノメートル未満のもの
加速電圧が二一キロボルトを超えるもの
画像を結合する際の視野の重なりが五〇ナノメートル未満のもの
画素数が二〇〇、〇〇〇、〇〇〇を超える画像の収集及び保存が可能なもの
レーザー干渉計による長さスケール計測に基づく視野の位置校正が可能なもの
画像を取得する際の視野の重なりが垂直方向及び水平方向で五パーセント未満のもの
ニング・ユニファイド・ポッド（ＦＯＵＰ）を含む。
）用にウエハー搬入部を設計したものを
Ｉ規格に準拠したウエハーの搬送・保管容器（二〇〇ミリメートル以上のフロント・オープ
て、次のイからトまでの全てに該当するもの（国際半導体製造装置材料協会が定めたＳＥＭ
半導体素子又は集積回路の画像を取得するために設計した走査型電子顕微鏡であっ
令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)（削る）（削る）（削る）１一かつ、他の用途のためにプログラムの書き換えができないもの
スマートカードであって、次のいずれかに該当するもの号ヘのみに該当するものを除く。
）に限定して使用されるスマートカードであって、
データ機密性確保のための暗号機能が、本号イに該当しない装置又はシステム（本
１一ロイハ（十二）から（十六）までに該当するもの
暗号機能を有するように設計したもの以外のもの
（七）から（十）までのいずれにも該当しないもの
の又は非対称アルゴリズムを用いたものであって、データの機密性確保のための
対称アルゴリズムを用いたものであって対称
の長さが五六ビットを超えるも
めにプログラムの書き換えを行うことができないもの
スマートカードであって、次のいずれかに該当するもの次のいずれかに該当するものに限定されて使用するものであって、他の用途のた
ずれかに該当するもの又はこれらの部分品ずれかに該当するもの又はこれらの部分品（十一）暗号機能を有するスマートカード若しくはそのリーダライタであって、次のい（十一）暗号機能を有するスマートカード若しくはそのリーダライタであって、次のいのを除く。
）（一）〜（十）（略）（七）から（十）までのいずれかに該当するもの（（十一）から（十八）までに該当するもタの機密性確保のための暗号機能を有するように設計し、又は改造したもののうち、次の
るものとする。
一〜八の二（略）るものとする。
一〜八の二（略）るものを除く。
）るものを除く。
）イ対称アルゴリズムを用いたものであって対称
の長さが五六ビットを超えるもの又は非イ対称アルゴリズムを用いたものであって対称
の長さが五六ビットを超えるもの又は非対称アルゴリズム（アルゴリズムの安全性が次の（一）から（六）までのいずれかに該当対称アルゴリズム（アルゴリズムの安全性が次の（一）から（六）までのいずれかに該当九暗号装置又は暗号機能を実現するための部分品であって、次のイからホまでのいずれかに九暗号装置又は暗号機能を実現するための部分品であって、次のイからホまでのいずれかに該当するもの（第三条第十九号ハ（二）２、本号ヘ、第十一号又は第十条第五号イに該当す該当するもの（第三条第十九号ハ（二）２、本号ヘ、第十一号又は第十条第五号イに該当す第八条輸出令別表第一の九の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す第八条輸出令別表第一の九の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当すする困難性に基づくものに限る。
以下この号において同じ。
）を用いたものであって、デーする困難性に基づくものに限る。
以下この号において同じ。
）を用いたものであって、デー当するものを除く。
）（一）〜（十）（略）ち、次の（七）から（十）までのいずれかに該当するもの（（十一）から（二十）までに該能な
を仕
使組
用み
すの
る暗
こ号
と機
が能
で有
き効
る化
もの
の手
（段
当以
該外
暗の
号手
機段
能で
が暗
有号
効機
化能
さを
れ有
て効
い化
るで
もき
のる
をも
含の
むに
。限
）又る
。は）の安う全
タの機密性確保のための暗号機能を有するように設計し、又は改造したもの（当該暗号機
純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
ロゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセン
ゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又は
二十六
イずれかを含むもの又はこれらの基板若しくはインゴット、ブール又はその他のプリフォーム
シリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不
シリコン、シリコン酸化物、ゲルマニウム又はゲルマニウム酸化物であって、次のい
ロイを含むもの
ト未満のもの
純物の割合が〇・〇八パーセント未満のもの
ゲルマニウム七六以外のゲルマニウムの同位体からなる不純物の割合が〇・〇八パーセン
ゲルマニウムであって、ゲルマニウム七〇、ゲルマニウム七二、ゲルマニウム七四又は
シリコンであって、シリコン二八又はシリコン三〇以外のシリコンの同位体からなる不
二十五
シリコン又はゲルマニウムのふっ化物、水素化物又は塩化物であって、次のいずれか
（新設）（新設）一〜六（略）るものとする。
ト未満のもの
路を一つ以上有するもの
七電子計算機又はその電子組立品若しくは部分品であって、前条第一号ヨに該当する集積回
（新設）一〜六（略）るものとする。
第七条輸出令別表第一の八の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す第七条輸出令別表第一の八の項の経済産業省令で定める仕様のものは、次のいずれかに該当す 令和 年 月 日 木曜日官報(号外第 号)
（十二）
（削る）２１設計を変更する前の端末が、本号ヘに該当するもの
設計を変更する前の端末のデータの機密性確保のための暗号機能が、設計の変更に
よる影響を受けないものであって、公開された又は商業用の暗号標準のみを用いたも
（新設）（新設）て
い
な
い
も
の
に
限
る
）。又はこれらの部分品（削る）のしくは商業用の暗号標準のみを用いたもの又はその部分品
（十六）
無線パーソナルエリアネットワークに用いられる装置であって、公開された若
で、かつ、特定の民生産業用途に用いるために設計を変更したもの（暗号機能を変更し
（十四）
（十三）
（略）
１及び２に該当するもの又はこれらの部分品機端末であって、特定の民生産業用途に用いるために設計を変更したもののうち、次の
民生用に設計した携帯用電話機端末若しくは移動用電話機端末又は同等の無線
（十五）
（十四）
（略）
更できず、使用に際して供給者又は販売店の技術支援が不要であるように設計したもの
公開されていないものを含む。
）のみを用いたもののうち、暗号機能が使用者によって変
あって、公開された又は商業用の暗号標準（無断の複製を防止するためのものであって、民生用の携帯用電話機端末若しくは移動用電話機端末又は同等の無線機端末で
１・２（略）１・２（略）次の１及び２に該
当
す
る
も
の
（
衛
星
電
話
を
除
く
。）又はこれらの部分品
及び２に該当するもの又はこれらの部分品の移動体において使用するように設計したものをいう。
（十四）において同じ。
）であって、
用の電話をいう。
（十四）において同じ。
）若しくは移動用電話機端末（専ら自動車その他において使用するように設計したものをいう。
（十五）において同じ。
）であって、次の１
をいう。
（十五）において同じ。
）若しくは移動用電話機端末（専ら自動車その他の移動体
民生用に設計した携帯用電話機端末（携帯回線網用の電話その他の無線回線網（十三）
民生用の携帯用電話機端末（携帯回線網用の電話その他の無線回線網用の電話
性確保